消息称三星 3nm 工艺初期良率 10-20%，现已提升 3 倍

IT 之家 3 月 22 日消息，消息源 @Tech_Reve 近日发布推文，表示三星 3nm 工艺初期良率为 10-20%，近期已提高了 3 倍多，但相比较采用 FinFET 技术的台积电，其良率依然偏低。 消息源表示三星寄希望于第二代 3nm 技术，性能，功耗和面积（PPA）指标相当于台积电的

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