随着行业推进到 10nm 以下级别的先进制程节点，DRAM 扩展变得越来越复杂。除了运用到更为先进的 EUV 光刻机外，三星和 SK 海力士等 DRAM 制造商还将逐步引入了新结构、新技术、以及新材料，其中包括了 4F²单元结构。相比于 6F²单元结构，新结构能将每个存储单元置于 2F×2F 的面积
随着行业推进到 10nm 以下级别的先进制程节点，DRAM 扩展变得越来越复杂。除了运用到更为先进的 EUV 光刻机外，三星和 SK 海力士等 DRAM 制造商还将逐步引入了新结构、新技术、以及新材料，其中包括了 4F²单元结构。相比于 6F²单元结构，新结构能将每个存储单元置于 2F×2F 的面积
By vernanicolai